產品特點

　　采用IGBT模塊做逆變單元，IGBT相對于可控硅來講，開關速度快，損耗低;

　　主回路采用串聯(lián)諧振。為電壓諧振，回路中電壓高，電流小，銅損少;

　　電源輸入端采用全橋不控整流，高次諧波小，對電網產生的污染和干擾少。

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　　因此IGBT中頻電源相對可控硅電源具有電源轉換效率高，感應器發(fā)熱量小，不污染電網，綜合節(jié)電可達到10%-30%。

　　主要參數